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極紫外 (EUV) 光刻膠和顯影劑是半導體制造光刻工藝中必不可少的材料,特別是用于在集成電路 (IC) 生產(chǎn)過程中在硅片上創(chuàng)建復雜圖案。使用 EUV 光刻技術(shù)可以在芯片上制造更小的特征(低至 7 納米及以下),從而實現(xiàn)更高的晶體管密度、更好
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極紫外 (EUV) 光刻膠和顯影劑是半導體制造光刻工藝中必不可少的材料,特別是用于在集成電路 (IC) 生產(chǎn)過程中在硅片上創(chuàng)建復雜圖案。使用 EUV 光刻技術(shù)可以在芯片上制造更小的特征(低至 7 納米及以下),從而實現(xiàn)更高的晶體管密度、更好
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